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    • ROHM首次推出硅电容器“BTD1RVFL系列” ~表面贴装型的量产产品,实现0402业界超小尺寸,助力智能手机等应用进一步节省空间!~

      ROHM首次推出硅电容器“BTD1RVFL系列” ~表面贴装型...

      2023-09-14查看更多

    • ROHM开发出适用于条码标签打印应用、500mm/秒的业内超快打印速度的热敏打印头 ~高速度、高质量打印和出色的耐久性,有助于提高物流标签和库存管理标签的打印效率~

      ROHM开发出适用于条码标签打印应用、500mm/秒的业内超...

      2023-08-31查看更多

    • ROHM新增5款100V耐压双MOSFET以5.0mm×6.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸实现业界超低导通电阻 ~非常适用于通信基站和工业设备等的风扇电机,有助于设备进一步降低功耗和节省空间~

      ROHM新增5款100V耐压双MOSFET以5.0mm×6.0mm和3.3mm×...

      2023-08-09查看更多

    • ROHM开始量产具有业界超高性能的650V耐压GaN HEMT! ~非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统的效率提升和小型化~
      OUR NEWS

      ROHM开始量产具有业界超高性能的650V耐压GaN HEMT! ~非常适用于服务器和A...

      全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(Gallium Nitride:氮化镓)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产,这两款产品非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统。据悉,电源和电机的用电量占全世界用电量的一大半,为实现无碳社会,如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率元器件是提高它们效率的关键,SiC(Silicon ...

      2023-05-16
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    • ROHM开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET,有助于提高应用设备工作效率 新推出40V~150V耐压的共13款产品,非常适用于工业设备电源和各种电机驱动
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      ROHM开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET,有助于提高应用设备工作效率...

      全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1产品(40V/60V/80V/100V/150V),这些产品非常适合驱动以24V、36V、48V级电源供电的应用,例如基站和服务器用的电源、工业和消费电子设备用的电机等。 近年来,全球电力需求量持续增长,如何有效利用电力已成为迫在眉睫的课题,这就要求不断提高各种电机...

      2023-04-20
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    • 罗姆在打印机用激光二极管市场的布局与优势
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      罗姆在打印机用激光二极管市场的布局与优势

      【前言】打印机是我们工作和生活中常见的一类OA产品,根据不同的工作方式,主流的打印机可以分为:激光打印机、喷墨打印机和针式打印机。相比喷墨打印机和针式打印机,激光打印机具有分辨率高、打印速度快、坚固耐用等特点,因此被广泛地应用于银行、学校、政府机构、医疗机构、保险、大型企业等场景中。近年来,随着中国国内的激光打印机产品研发速度加快,不断孕育...

      2023-04-06
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    • 同时实现业内出色低噪声特性和超快反向恢复时间的
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      同时实现业内出色低噪声特性和超快反向恢复时间的

      全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)在其600V耐压Super Junction MOSFET*1“PrestoMOS™”产品阵容中,又新增“R60xxRNx系列”3款新产品,非常适用于冰箱和换气扇等对低噪声特性要求很高的小型电机驱动。近年来,全球电力供应日趋紧张,这就要求设备要更加节能。据了解,电机所需的电力占全球电力总需求的50%左右。因此,在电机驱动中担负功率转换工作的...

      2023-03-30
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    • 非常适用于车载和工业设备的双面散热功率模块!
      OUR NEWS

      非常适用于车载和工业设备的双面散热功率模块!

      全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向车载和工业设备中的大功率应用,开发出12W级额定功率的业界超薄金属板分流电阻器“PSR350”。另外,ROHM针对已在15W级额定功率产品中达到业界超小级别的“PSR330”和“PSR100”,还计划推出0.2mΩ 的产品,以进一步增强“PSR系列”的产品阵容。在工业设备的功率模块中,早已出现了内置分流电阻器的产品。近年来,...

      2023-04-21
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    • ROHM确立可以更大程度激发GaN器件性能的“超高速驱动控制”IC 技术 将GaN器件与控制IC相结合,助力电源应用进一步节能和小型化
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      ROHM确立可以更大程度激发GaN器件性能的“超高速驱动控制”IC 技术 将GaN器...

      全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)确立了一项超高速驱动控制IC技术,利用该技术可更大程度地激发出GaN等高速开关器件的性能。近年来,GaN器件因其具有高速开关的特性优势而被广泛采用,然而,如何提高控制IC(负责GaN器件的驱动控制)的速度已成为亟需解决的课题。 在这种背景下,ROHM进一步改进了在电源IC领域确立的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse C...

      2023-03-07
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